FGB20N60SF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт
FGB20N60SF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт

Характеристики:

Переключаемая энергия
370 мкДж
Макс. рассеиваемая мощность
208 Вт
Импульсный ток коллектора макс.
60 А
Макс. ток коллектора
40 А
Макс. напр. коллектор-эмиттер
600 В
Все характеристики
АртикулProm-197919
ON Semiconductor
0
В наличии
Информация о доставке
Москва
Способ доставки
Деловые линии
В течение 8 дней
Служба доставки СДЭК
В течение 4-7 дней
1 670 

Описание FGB20N60SF

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт

Характеристики
Макс. рассеиваемая мощность
208 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
600 В
Макс. ток коллектора
40 А
Импульсный ток коллектора макс.
60 А
Переключаемая энергия
370 мкДж
Производитель
ON Semiconductor
Корпус
D2PAK/TO263
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка
800 шт.
Вес брутто
1.35 г.
Мы работаем со многими транспортными и курьерскими компаниями. Например: Деловые линии, СДЭК, DPD,IML, Boxberry, ПЭК и другие. Способ доставки по вашему заказу указывается в счет-договоре который формирует менеджер после получения вашей заявки.
Способ доставки
Сроки
Оплата
Деловые линии
Доставка заказа
в течение 8 дней
Служба доставки СДЭК
Можно забрать
в течение 4-7 дней
Мы работаем с юридическими и физическими лицами России. Минимальная сумма для заказа 20 тысяч рублей. Обращаем ваше внимание на то, что вся представленная на сайте информация носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой определяемой положениями Статьи 437(2) Гражданского кодекса Российской Федерации. Для уточнения цены и сроков поставки обращайтесь в наш отдел продаж - sales@altronika.ru
0
0
phone