Описание FGA50N100BNTD2
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
Характеристики
Макс. рассеиваемая мощность | 156 Вт |
Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1000 В |
Макс. ток коллектора | 50 А |
Импульсный ток коллектора макс. | 200 А |
Производитель | ON Semiconductor |
Корпус | TO-3P |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 450 шт. |
Вес брутто | 6.401 г. |
Мы работаем со многими транспортными и курьерскими компаниями.
Например: Деловые линии, СДЭК, DPD,IML, Boxberry, ПЭК и другие.
Способ доставки по вашему заказу указывается в счет-договоре который формирует менеджер после получения вашей заявки.
Способ доставки
Сроки
Оплата
Деловые линии
Доставка заказа
в течение 7 дней
Мы работаем с юридическими и физическими лицами России.
Минимальная сумма для заказа 20 тысяч рублей.
Обращаем ваше внимание на то, что вся представленная на сайте информация носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой определяемой положениями Статьи 437(2) Гражданского кодекса Российской Федерации. Для уточнения цены и сроков поставки обращайтесь в наш отдел продаж - sales@altronika.ru
