FGA25S125P, Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт
FGA25S125P, Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт

Характеристики:

Импульсный ток коллектора макс.
75 А
Макс. ток коллектора
50 А
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1250 В
Макс. рассеиваемая мощность
250 Вт
Производитель
ON Semiconductor
Все характеристики
АртикулProm-197911
ON Semiconductor
0
В наличии
Информация о доставке
Москва
Способ доставки
Деловые линии
В течение 7 дней
Служба доставки СДЭК
В течение 4-7 дней
1 670 

Описание FGA25S125P

Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт

Характеристики
Макс. рассеиваемая мощность
250 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1250 В
Макс. ток коллектора
50 А
Импульсный ток коллектора макс.
75 А
Производитель
ON Semiconductor
Корпус
TO-3P
Тип упаковки
Tube (туба)
Нормоупаковка
450 шт.
Вес брутто
6.401 г.
Мы работаем со многими транспортными и курьерскими компаниями. Например: Деловые линии, СДЭК, DPD,IML, Boxberry, ПЭК и другие. Способ доставки по вашему заказу указывается в счет-договоре который формирует менеджер после получения вашей заявки.
Способ доставки
Сроки
Оплата
Деловые линии
Доставка заказа
в течение 7 дней
Служба доставки СДЭК
Можно забрать
в течение 4-7 дней
Мы работаем с юридическими и физическими лицами России. Минимальная сумма для заказа 20 тысяч рублей. Обращаем ваше внимание на то, что вся представленная на сайте информация носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой определяемой положениями Статьи 437(2) Гражданского кодекса Российской Федерации. Для уточнения цены и сроков поставки обращайтесь в наш отдел продаж - sales@altronika.ru
0
0
phone