FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Электронные компоненты

Характеристики:

Производитель
Infineon Technologies
Корпус
34 mm
Тип упаковки
Штучный товар
Нормоупаковка
10 шт.
Вес брутто
189.5 г.
Все характеристики
Информация о доставке
Способ доставки
Деловые линии
В течение 7 дней
АртикулProm-506990
Infineon Technologies
0
В наличии

Описание FF100R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

Характеристики
Производитель
Infineon Technologies
Корпус
34 mm
Тип упаковки
Штучный товар
Нормоупаковка
10 шт.
Вес брутто
189.5 г.
Мы работаем со многими транспортными и курьерскими компаниями. Например: Деловые линии, СДЭК и другие. Способ доставки по вашему заказу указывается в счет-договоре который формирует менеджер после получения вашей заявки.
Способ доставки
Сроки
Стоимость
Оплата
Деловые линии
Доставка заказа
в течение 7 дней
От 1 кг 1 000
От 2 кг 1 100
От 3 кг 1 200
От 4 кг 1 300
по предоплате
Мы работаем с юридическими и физическими лицами России. Минимальная сумма для заказа 20 тысяч рублей. Обращаем ваше внимание на то, что вся представленная на сайте информация носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой определяемой положениями Статьи 437(2) Гражданского кодекса Российской Федерации. Для уточнения цены и сроков поставки обращайтесь в наш отдел продаж - sales@prom-elec.com
Данное предложение не является публичной офертой
0
0
phone